Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
The limits of external influences and conditions (temperature, γ-irradiation) are determined under which the stability of parameters and the concentration of nickel levels are preserved, which is necessary when using nickel as an impurity in microelectronics. Methods are proposed for fabricating a s...
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.39 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861137315626221568 |
|---|---|
| author | Jafarova, E. A. |
| author_facet | Jafarova, E. A. |
| author_sort | Jafarova, E. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-30T21:06:12Z |
| description | The limits of external influences and conditions (temperature, γ-irradiation) are determined under which the stability of parameters and the concentration of nickel levels are preserved, which is necessary when using nickel as an impurity in microelectronics. Methods are proposed for fabricating a semiconductor switch, a memory cell, and a diode matrix with identical parameters (by U) based on the Al–SiO2–Si–М structure. |
| first_indexed | 2026-03-31T01:00:57Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-905 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-31T01:00:57Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9052026-03-30T21:06:12Z Non-stationary electronic processes in barrier structures and devices based on them Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе Jafarova, E. A. p–n junction deep levels non-stationary electronic spectroscopy photocapacitance transition metals p–n-переход глубокие уровни нестационарная электронная спектроскопия фотоемкость переходные металлы The limits of external influences and conditions (temperature, γ-irradiation) are determined under which the stability of parameters and the concentration of nickel levels are preserved, which is necessary when using nickel as an impurity in microelectronics. Methods are proposed for fabricating a semiconductor switch, a memory cell, and a diode matrix with identical parameters (by U) based on the Al–SiO2–Si–М structure. Определены границы внешних воздействий и условия (температура, γ-облучение), при которых сохраняется стабильность параметров и концентрация уровней никеля, необходимые при использовании его в качестве примеси в микроэлектронике. Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al–SiO2–Si–М-структуры. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.39 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 39-42 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-42 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.39/821 Copyright (c) 2006 Jafarova E. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | p–n-переход глубокие уровни нестационарная электронная спектроскопия фотоемкость переходные металлы Jafarova, E. A. Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title | Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_alt | Non-stationary electronic processes in barrier structures and devices based on them |
| title_full | Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_fullStr | Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_full_unstemmed | Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_short | Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_sort | нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| topic | p–n-переход глубокие уровни нестационарная электронная спектроскопия фотоемкость переходные металлы |
| topic_facet | p–n junction deep levels non-stationary electronic spectroscopy photocapacitance transition metals p–n-переход глубокие уровни нестационарная электронная спектроскопия фотоемкость переходные металлы |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.39 |
| work_keys_str_mv | AT jafarovaea nonstationaryelectronicprocessesinbarrierstructuresanddevicesbasedonthem AT jafarovaea nestacionarnyeélektronnyeprocessyvbarʹernyhstrukturahipriborynaihosnove |