Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | M. D. Borcha, M. S. Solodkyi, S. V. Balovsyak, V. M. Tkach, I. I. Hutsuliak, A. R. Kuzmin, O. O. Tkach, V. P. Kladko, Yo. Gudymenko, O. I. Liubchenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073935 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
A strain state in synthetic diamond crystals by the data of electron backscatter diffraction method
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Electron Backscatter Diffraction Analysis of the Microstructure Fineness in Pure Copper under Torsional Deformation
за авторством: Wang, C.P., та інші
Опубліковано: (2018) -
Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010) -
Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005) -
Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)