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Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	B. D. Shanina, Ya. Bratus
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923033
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