Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. V. Sachenko, A. E. Beljaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, V. N. Sheremet |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363118 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
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Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
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