Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | V. A. Pilipenko, V. A. Gorushko, A. N. Petlitskij, V. V. Ponarjadov, A. S. Turtsevich, S. V. Shvedov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405014 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001) -
Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2001) -
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010) -
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)