Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Sachenko, V. P. Kostylov, V. H. Lytovchenko, V. H. Popov, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Nasieka, T. V. Slusar, S. I. Kyrylova, F. F. Komarov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725395 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999)
Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)
Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)
Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Electron beam purification of crystalline silicon
за авторством: V. A. Berezos
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Berezos
Опубліковано: (2013)
Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
Balance model for contactless chemo-mechanical polishing of wafers
за авторством: Grigoriev, N.N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Grigoriev, N.N., та інші
Опубліковано: (2002)
Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of L-arginine on the optical properties, crystalline perfection and laser damage threshold of KDP crystals
за авторством: Kostenyukova, E.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kostenyukova, E.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2007)
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2013)
Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact
за авторством: R. K. Savkina
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. K. Savkina
Опубліковано: (2013)
Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. Gemechu, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999) -
Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023) -
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)