Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | A. V. Sachenko, V. P. Kostylov, V. H. Lytovchenko, V. H. Popov, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Nasieka, T. V. Slusar, S. I. Kyrylova, F. F. Komarov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725395 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999) -
Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023) -
Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)