Buchumschlag

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	A. V. Sachenko, V. P. Kostylov, V. H. Lytovchenko, V. H. Popov, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Nasieka, T. V. Slusar, S. I. Kyrylova, F. F. Komarov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Ukrainian Journal of Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725395
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
von: Holiney, R.Yu., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
von: V. P. Kostylyov, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
von: V. P. Kostylov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
von: V. H. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
von: R. M. Korkishko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
von: Korkishko, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
von: V. H. Lytovchenko
Veröffentlicht: (2015)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
von: V. P. Kostylyov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
von: V. P. Kostylyov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
von: Kostylyov, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
von: D. V. Hamov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
von: Gorbach, T.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Electron beam purification of crystalline silicon
von: V. A. Berezos
Veröffentlicht: (2013)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
von: N. A. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
von: R. Aliev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
von: Romanjuk, B., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
von: V. G. Litovchenko
Veröffentlicht: (2015)

Balance model for contactless chemo-mechanical polishing of wafers
von: Grigoriev, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
von: V. A. Makara, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
von: V. G. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
von: Talanin, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Effect of L-arginine on the optical properties, crystalline perfection and laser damage threshold of KDP crystals
von: Kostenyukova, E.I., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
von: Dovbnya, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
von: Gorban, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells
von: Kopach, V.R., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
von: A. Sarikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact
von: Savkina, R.K.
Veröffentlicht: (2013)

Properties of the crystalline silicon strained via cavitation impact
von: R. K. Savkina
Veröffentlicht: (2013)

Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis
von: A. A. Sivkov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
von: D. V. Gamov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Thermoluminescence from silicon quantum dots in the two traps–one recombination center model
von: N. Gemechu, et al.
Veröffentlicht: (2017)