Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
Review is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole lay...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/108 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |