Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
Об’ємнi кристали ZnSxSe1−x були вирощенi за методом Бриджмена–Стокбаргера. Прозорiсть зразкiв ZnSxSe1−x становила вiд 67% до 56% на la = 1100 нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якiсть кристалiв. Оптичнi експерименти показали вiдсутнiсть нових станiв з включенням...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018035 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |