Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу
The variation of recombination properties in n-Si grown by the Czochralski method, doped to the free electron concentration n0 ∼ 10^14 ÷10^16 cm^−3, irradiated with 60Co y-quanta or 1-MeV electrons, and isochronously annealed for 20 min in the temperature interval 180–380∘C, in which divacancy-oxyge...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English Ukrainian |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018178 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |