Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H

Spectral characteristics of the coefficient of defect absorption in amorphous hydrogenated silicon have been studied. The characteristics are determined, by analyzing the electron transitions occurring with the participation of the energy states of dangling bonds. It is shown that the principal role...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Ikramov, R. G., Nuriddinova, M. A., Jalalov, R. M.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018630
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси