Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H
Spectral characteristics of the coefficient of defect absorption in amorphous hydrogenated silicon have been studied. The characteristics are determined, by analyzing the electron transitions occurring with the participation of the energy states of dangling bonds. It is shown that the principal role...
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | Ikramov, R. G., Nuriddinova, M. A., Jalalov, R. M. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018630 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозиторії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Cherenkov radiation of the electron bunch in dielectric media with frequency dispersion
за авторством: Balakirev, V.A., та інші
Опубліковано: (2019) -
Dispersion properties of the dielectric wavеguide for acceleration electrons by the wakefield of laser pulse
за авторством: Balakirev, V.A., та інші
Опубліковано: (2019) -
Optimal resonant asymptotics of wakefield excitation in plasma by non-resonant sequence of electron bunches
за авторством: Maslov, V.I., та інші
Опубліковано: (2019)