Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H
Spectral characteristics of the coefficient of defect absorption in amorphous hydrogenated silicon have been studied. The characteristics are determined, by analyzing the electron transitions occurring with the participation of the energy states of dangling bonds. It is shown that the principal role...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018630 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |