Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
The theoretical study of the reflection asymmetry impact on the electron and hole localizations in self-assembled InGaAs/GaAs semiconductor lateral quantum dot molecules is made. The previously proposed mapping method is used to simulate the ground-state electron (hole) wave function and the energy...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019273 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |