Buchumschlag

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах

High resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS), and photoluminescence (PL) methods have been used to study theinfluence of Si1–xGex buffer layer parameters on the spatial ordering of self-assembled Ge nanoislands in multilayer SiGe/Si structures grown on Si (001) substrates. The th...

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:	-
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121
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Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

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