Зображення обкладинки

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах

High resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS), and photoluminescence (PL) methods have been used to study theinfluence of Si1–xGex buffer layer parameters on the spatial ordering of self-assembled Ge nanoislands in multilayer SiGe/Si structures grown on Si (001) substrates. The th...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2022
Автори:	Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська Англійська
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:	-
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)

Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Engineering of mixed Bi₄(GexSi₁₋x)₃O₁₂ scintillation crystals
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Multimodal size distribution of Si nanoclusters in SiO₂ as manifestation of interaction in the space of sizes
за авторством: Blonskiy, I.V., та інші
Опубліковано: (1998)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2004)

Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)

Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Thin film Si:Eu and Si:Y composites
за авторством: Koval, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Structure and mechanical stresses in TaSi₂/Si multilayer
за авторством: Devizenko, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)

Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
за авторством: Ganji, J.
Опубліковано: (2017)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)