Показ 1 - 20 результатів із 485 для пошуку 'solution defective' Перейти до змісту

VuFind

Ваш обліковий запис
Вихід
Логін
Мова

Харвестер відкритої науки НАН України

Розширений

Результати пошуку - solution defective

Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку. Рекомендовані теми у межах Вашого пошуку.

Научно-технический раздел 21 Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах 17 Physics of radiation damages and effects in solids 9 Теоретическая и экспериментальная криобиология 9 Characterization and properties 8 Дефекты кристаллической решётки 8 UDC 539.3 6 УДК 539.3 6 - 5 hydrogenerator 5 Original contributions 4 crack 4 harmonic oscillations 4 singular integral equations 4 stress intensity factors 4 Матеріалознавство 4 Механіка 4 Получение, структура, свойства 4 УДК 621.313.322-82 4 Физика прочности и пластичности 4 Физика радиационных и ионно-плазменных технологий 4 гармонические колебания 4 гармонічні коливання 4 коефіцієнти інтенсивності напружень 4 коэффициенты интенсивности напряжений 4 сингулярные интегральные уравнения 4 сингулярні інтегральні рівняння 4 трещина 4 тріщина 4 Low temperature plasma and plasma technologies 3

Показ 1 - 20 результатів із 485 для пошуку 'solution defective', час виконання запиту: 0.09сек. Уточнити результати

Сортувати

Вибрати сторінку | з відміченими:

Вибрати результат під номером 1
1

Structure solution problems for crystals containing planar defects at a high density

за авторством Olikhovska, L.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2

Basic physics of long-term strength of solid solutions with various kinetics of mobile defects

за авторством V. G. Tkachenko
Опубліковано 2016

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3

Atomic defects and physical-chemical properties of PbTe-InTe solid solutions

за авторством Freik, D.M., Boychuk, V.I., Mezhylovsjka, L.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4

Modern rail steels and solutions ESR (Review). Information 1. Operating conditions and defects observed

за авторством L. B. Medovar, H. P. Stovpchenko, H. O. Polishko, Ye. O. Pedchenko, V. A. Zaitsev
Опубліковано 2018

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5

Mathematical model of the process of plugging of through-thickness defects at contact with process solutions before leak testing

за авторством V. B. Vyskrebtsov, A. V. Shulzhenko, V. N. Grebennikov, P. A. Manorik
Опубліковано 2012

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions

за авторством Malyk, O.P.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7

Radiation induced defects in M₁₋ₓPrₓF₂₊ₓ (M²⁺ = Ca, Sr, Ba, x = 0.35) solid solutions

за авторством Boiaryntseva, I.A., Shiran, N.V., Gektin, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2012)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 8
8

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing

за авторством Fodchuk, I.M., Gutsulyak, T.G., Himchynsky, O.G., Olijnich-Lysjuk, A.V., Raransky, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 9
9

Atomic Structure in the Vicinity of Nanovoids and Features of These Defects

за авторством Germanov, A.B., Ershova, I.V., Kislitskaya, E.V., Nazarov, A.V., Zaluzhnyi, A.G.
Опубліковано в: Металлофизика и новейшие технологии (2013)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 10
10

Computational Model for Durability Analysis of Structure Elements with Defects

за авторством Hnitko, Vasyl I., Dehtiarov, Kyrylo H., Moskalenko, Roman P., Strelnikova, Olena O.
Опубліковано 2020

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 11
11

Computational Model for Durability Analysis of Structure Elements with Defects

за авторством Hnitko, Vasyl I., Dehtiarov, Kyrylo H., Moskalenko, Roman P., Strelnikova, Olena O.
Опубліковано 2020

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 12
12

The influence of surface defects on the pinhole formation in silicide thin film

за авторством Belousov, I.V., Grib, A.N., Kuznetsov, G.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 13
13

Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals

за авторством Garapyn, I.V., Hud, I.Z., Pavlyk, B.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 14
14

The limit load calculations for pipelines with axial complex-shaped defects

за авторством Bogdan, A.V., Lokhman, I.V., Ageev, S.M., Orynyak, I.V.
Опубліковано в: Проблемы прочности (2009)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 15
15

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals

за авторством Talanin, V.I., Talanin, I.E.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 16
16

The methods for the calculation of the elastic interaction of point defects with a dislocation loops in hexagonal crystals

за авторством Trotsenko, O.G., Ostapchuk, P.N.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2017)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 17
17

Transferability of Laboratory Fracture Data to Safety Assessment of Postulated Defects in Critical NPP Components

за авторством Taylor, N., Nilsson, K.F.
Опубліковано в: Проблемы прочности (2004)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 18
18

Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air

за авторством Solovyova, A.E.
Опубліковано в: Физическая инженерия поверхности (2011)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 19
19

Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films

за авторством Kosyak, V.V., Opanasyuk, A.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в:
Вибрати результат під номером 20
20

The inﬂuence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆

за авторством Vysochanskii, Yu.M., Molnar, A.A., Khoma, M.M., Motrja, S.F.
Опубліковано в: Condensed Matter Physics (1999)

Отримати повний текст

Стаття

Додати у Вибране

Збережено в: