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  1. 1
    Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках
    von Gentsar, P. O., Levytskyi, S. M.
    Veröffentlicht 2016
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  2. 2
    Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
    von Gentsar, P. O., Vlasenko, O. I., Levytskyi, S. M.
    Veröffentlicht 2018
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  3. 3
    Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy
    von Vlasenko, O.I., Gentsar, P.O., Stronski, A.V.
    Veröffentlicht 2009
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  4. 4
    Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
    von Gentsar, P.O., Levytskyi, S.M., Stronski, A.V.
    Veröffentlicht 2021
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  5. 5
    Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
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  6. 6
    Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
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  7. 7
    Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
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