Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями

von Kaliuzhnyi, V.V., Liubchenko, O.I., Tymochko, M.D., Olikh, Y.M., Kladko, V.P., Belyaev, A.E.
Veröffentlicht 2021

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study

von Strelchuk, V.V., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Kolomys, O.F., Gudymenko, O.I., Valakh, M.Ya.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry

von Fodchuk, І.М., Dovganyuk, V.V., Litvinchuk, Т.V., Kladko, V.P., Slobodian, М.V., Gudymenko, O.Yo., Swiatek, Z.
Veröffentlicht 2010

Рефлектометричнi дослiдження нанопористих плiвок з масивом наночастинок золота

von Kladko, V. P., Gudymenko, O. Y., Kriviy, S. B., Litvin, P. M., Kaganovich, E. B., Krishchenko, I. M., Manoilov, E. G.
Veröffentlicht 2018

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment

von Konakova, R.V., Kladko, V.P., Lytvyn, O.S., Okhrimenko, O.B., Konoplev, B.G., Svetlichnyi, A.M., Lissotschenko, V.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах...

von Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.
Veröffentlicht 2022

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands

von Gudymenko, O.Yo., Kladko, V.P., Yefanov, O.M., Slobodian, M.V., Polischuk, Yu.S., Krasilnik, Z.F., Lobanov, D.V., Novikov, А.А.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)

von Lysenko, V.S., Kondratenko, S.V., Kozyrev, Yu.N., Rubezhanska, M.Yu., Kladko, V.P., Gomeniuk, Yu.V., Gudymenko, O.Y., Melnichuk, Ye.Ye., Grenet, G., Blanchard, N.B.
Veröffentlicht 2021

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios

von Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза

von Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Veröffentlicht 2018

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Konakova, R.V., Kladko, V.P., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Korostinskaya, T.V., Ataubaeva, A.B., Nevolin, P.V.
Veröffentlicht 2010

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Veröffentlicht 2015