Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

von Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.
Veröffentlicht 2005

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ...

von Ижнин, И.И., Вакив, Н.М., Ижнин, А.И., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б.
Veröffentlicht 2005

Микрочиповые лазеры

von Матковский, А.О., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б., Мельник, С.C., Вакив, Н.М., Ижнин, И.И.
Veröffentlicht 2002

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”

von Савицкий, Г.В., Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Могиляк, И.А., Тростинский, И.П.
Veröffentlicht 2002

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

von Власенко, А.И., Власенко, З.К., Гнатюк, В.А., Смирнов, А.Б., Курило, И.В., Рудый, И.А., Ижнин, И.И.
Veröffentlicht 2001