Suchergebnisse - Bohdanov, I. T.
- Treffer 1 - 2 von 2
-
1
Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова von Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T.
Veröffentlicht 2022Volltext
Artikel -
2
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
electrochemical etching
електрохімічне травлення
Ga2O3
GaAs
Stranski-Krastanow mechanism
crystal lattice
heterostructures
layer-plus-island growth
layer-plus-island модель росту
oxidation
pores
porous layers
silicon carbide
thermal annealing
гетероструктури
карбід кремнію
кристалічна ґратка
механізм Странського – Крастанова
оксидування
пори
поруваті шари
термічний відпал