Харвестер відкритої науки НАН України

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)

за авторством Parphenyuk, P.V., Evtukh, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Двоканальне гетерування рекомбінаційно-активної домішки в сонячному полікристалічному кремнії

за авторством Litovchenko, V.G., Naseka, V.M., Evtukh, A.A.
Опубліковано 2012

The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers

за авторством Solntsev, V.S., Gorbanyuk, T.I., Litovchenko, V.G., Evtukh, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals

за авторством Bratus, O.L., Evtukh, A.A., Steblova, O.V., Prokopchuk, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Charge storage characteristics of gold nanoparticles embedded in alumina matrix

за авторством Bratus, O., Evtukh, A., Kaganovich, E., Kizjak, A., Kizjak, I., Manoilov, E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Провiднi наностержнi в АПВ плiвках, зумовленi трансформацiєю вуглецю

за авторством Evtukh, A., Litovchenko, V., Strikha, M., Kurchak, A., Yilmazoglu, O., Hartnagel, H.
Опубліковано 2018

Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing

за авторством Bratus, O.L., Evtukh, A.A., Lytvyn, O.S., Voitovych, M.V., Yukhymchuk, V.О.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals

за авторством Begun, E.V., Bratus’, O.L., Evtukh, A.A., Kaganovich, E.B., Manoilov, E.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Дослiдження розповсюдження температурних профiлiв в нестехiометричних плiвках SiOx при лазерному вiдпалi...

за авторством Gavrylyuk, O. O., Semchuk, O. Yu., Steblova, O. V., Evtukh, A. A., Fedorenko, L. L.
Опубліковано 2018

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments

за авторством Litovchenko, V.G., Efremov, A.A., Evtukh, A.A., Rassamakin, Yu.V., Klyui, M.I., Kostylov, V.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon

за авторством Evtukh, A.A., Litovchenko, V.G., Oberemok, A.S., Popov, V.G., Rassamakin, Yu.V., Romanyuk, B.N., Volkov, S.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Field emission of electrons from laser produced silicon tip arrays

за авторством Evtukh, A.A., Kaganovich, E.B., Litovchenko, V.G., Litvin, Yu.M., Fedin, D.V., Manoilov, E.G., Svechnikov, S.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂(Si) films under thermal and laser annealing

за авторством Steblova, O.V., Evtukh, A.A., Bratus’, O.I., Fedorenko, L.L., Voitovych, M.V., Lytvyn, O.S., Gavrylyuk, O.O., Semchuk, O.Yu.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)