Suchergebnisse - Gorev, N.B.
- Treffer 1 - 10 von 10
-
1
-
2
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Veröffentlicht 2009Volltext
Artikel -
3
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Veröffentlicht 2008Volltext
Artikel -
4
-
5
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs von Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Veröffentlicht 2006Volltext
Artikel -
6
Рhase ambiguity resolution in relative displacement measurement by microwave interferome-try von Pylypenko, O.V., Gorev, N.B., Doronin, A.V., Kodzhespirova, I.F.
Veröffentlicht in Техническая механика (2017)Volltext
Artikel -
7
-
8
-
9
-
10
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
gallium arsenide
Schottky barrier
арсенид галлия
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
deep centers
epitaxial structure
field-effect transistor
глубокие центры
напряжение отсечки
полевой транзистор
эпитаксиальная структура
Schottky barriers
capacitance-voltage characteristic
capacitance–voltage characteristic
capacity-voltage characteristic
current-voltage characteristics
cutoff voltage
deep trapping centers
deep traps
ion-implanted structure
parameter spread
saturation current
threshold voltage
transconductance
арсенид галлия
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
глубокие центры захвата
глубокие центры захвата