Search Results - Kodzhespirova, I.F.
- Showing 1 - 10 results of 10
-
1
-
2
-
3
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs by Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Published 2008Get full text
Article -
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
Search Tools:
Related Subjects
gallium arsenide
Schottky barrier
арсенид галлия
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
deep centers
epitaxial structure
field-effect transistor
глубокие центры
напряжение отсечки
полевой транзистор
эпитаксиальная структура
Schottky barriers
capacitance-voltage characteristic
capacitance–voltage characteristic
capacity-voltage characteristic
current-voltage characteristics
cutoff voltage
deep trapping centers
deep traps
ion-implanted structure
parameter spread
saturation current
threshold voltage
transconductance
арсенид галлия
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
глубокие центры захвата
глубокие центры захвата