Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells

за авторством Konoreva, O., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Опубліковано 2006

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te

за авторством Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Tartachnyk, V.
Опубліковано 2010

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes

за авторством Konoreva, O., Malyj, E., Mamykin, S., Petrenko, I., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Опубліковано 2014

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures

за авторством Litovchenko, P., Litovchenko, A., Konoreva, O., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Опубліковано 2009

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals

за авторством Hontaruk, O., Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Опубліковано 2010

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons

за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Shlapatska, V.V.
Опубліковано 2015

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity

за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Olikh, Ya.M., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.
Опубліковано 2016

Low doses effect in GaP light-emitting diodes

за авторством Hontaruk, O.M., Konoreva, O.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Radkevych, O.I., Tartachnyk, V.P.
Опубліковано 2016