Результати пошуку - Kudryk, Ya.Ya.
- Показ 1 - 20 результатів із 39
- На наступну сторінку
-
1
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам за авторством Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано 2013Отримати повний текст
Стаття -
2
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя за авторством Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
3
Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes за авторством Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2019Отримати повний текст
Стаття -
4
Development and investigation of microwave radiation sources and detector sections using SBDs within the 220–400 GHz frequency range за авторством Zorenko, A.V., Kudryk, Ya.Ya., Marunenko, Yu.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
5
Технология изготовления контактов к карбиду кремния за авторством Kudryk, Ya. Ya., Bigun, R. I., Kudryk, R. Ya.
Опубліковано 2013Отримати повний текст
Стаття -
6
-
7
-
8
-
9
Hybrid-integrated version of SBD amplitude detector intended for the 400–600 GHz frequency range за авторством Zorenko, A.V., Bychok, A.V., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
10
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics за авторством Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Slipokurov, V.S., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
11
Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features за авторством Dmitruk, N.L., Karimov, A.V., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття -
12
Degradation processes in LED modules за авторством Sorokin, V.M., Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Kudryk, R.Ya., Sai, P.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
13
-
14
Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes за авторством Romanets, P.M., Konakova, R.V., Boltovets, M.S., Basanets, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Отримати повний текст
Стаття -
15
Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
16
A subharmonic mixer for the 220–325 GHz frequency range за авторством Zorenko, A.V., Kolesnik, N.V., Kritskaya, T.V., Kudryk, Ya.Ya., Marunenko, Yu.V., Ryzhanovich, L.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)Отримати повний текст
Стаття -
17
Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
18
Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs за авторством Sorokin, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Zinovchuk, A.V., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
19
Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... за авторством Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття -
20
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures за авторством Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Mitin, V.F., Mitin, E.V., Lytvyn, O.S., Kapitanchuk, L.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
Semiconductor physics
ohmic contact
омический контакт
Gunn diode
I-V curves
InGaN/GaN
RGB LED
RGB-світлодіод
SiC
antidiffusion layer
avalanche diode
cathode contact
contact
heat stability
indium phosphide
nanocrystal film
pulsed current-voltage characteristics
reliability
resistivity
wide-gap semiconductor
антидиффузионный слой
диод Ганна
електричні параметри
импульсная ВАХ
катодный контакт
контакт
лавинно-пролетный диод
надежность
нанокристаллическая пленка
неоднорідність світіння