Показ
1 - 7
результатів із
7
для пошуку '
Kurchak, A.I.
'
Перейти до змісту
VuFind
Ваш обліковий запис
Вихід
Логін
Мова
English
Deutsch
Українська
Всі поля
Назва
Назва журналу
Автор
Предмет
Опис
Тег
Знайти
Розширений
Автор
Kurchak, A.I.
Показ
1 - 7
результатів із
7
для пошуку '
Kurchak, A.I.
'
, час виконання запиту: 0.01сек.
Уточнити результати
Сортувати
Релевантність
Дата у спадаючому порядку
Дата у зростаючому порядку
Шифр
Автор
Назва
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Вибрати результат під номером 1
1
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену
за авторством
Kurchak, A. I.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2
Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
за авторством
Kurchak, A. I.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3
Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу...
за авторством
Strikha, M.V.
,
Kurchak, A.I.
Опубліковано 2021
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4
Конкурентнi механiзми гiстерезису опору в графеновому каналi
за авторством
Kurchak, A. I.
,
Morozovska, A. N.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
за авторством
Strikha, M. V.
,
Kurchak, A. I.
,
Morozovska, A. N.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6
Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах...
за авторством
Lytovchenko, V. G.
,
Kurchak, A. I.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7
Анiзотропiя провiдностi двошарового графену при вiдносному змiщеннi його шарiв
за авторством
Litovchenko, V. G.
,
Kurchak, A. I.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Інструменти для пошуку:
Отримати RSS-стрічку
–
Відправити пошук е-поштою
Пов'язані теми
conductance
domain structure
field effect transistor
graphene-on-ferroelectric
-
538.9
PVDF-TrFE ferroelectric film
adsorbates
anisotropy of conductivity
barrier tunneling
bilayer graphene
chemical vapor deposition
conductivity of graphene
differential conductance
graphene
mechanisms of hysteresis
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
minimum channel length
semiconductor monolayers of the MoS2 andWS2 types
surface dipoles
valley current
адсорбати
анiзотропiя провiдностi
графен
графен-на-сегнетоелектрику
двошаровий графен
долинний струм
доменна структура
ефект Ганна
мiнiмальна довжина каналу