Показ
1 - 7
результатів із
7
для пошуку '
Kurchak, A.I.
'
Перейти до змісту
VuFind
Ваш обліковий запис
Вихід
Логін
Мова
English
Deutsch
Українська
Харвестер відкритої науки НАН України
Всі поля
Назва
Назва журналу
Автор
Предмет
Опис
Тег
Full text
Знайти
Розширений
Автор
Kurchak, A.I.
Показ
1 - 7
результатів із
7
для пошуку '
Kurchak, A.I.
'
, час виконання запиту: 0.01сек.
Уточнити результати
Сортувати
Релевантність
Дата у спадаючому порядку
Дата у зростаючому порядку
Шифр
Автор
Назва
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Вибрати результат під номером 1
1
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену
за авторством
Kurchak, A. I.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2
Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE
за авторством
Kurchak, A. I.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3
Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу...
за авторством
Strikha, M.V.
,
Kurchak, A.I.
Опубліковано 2021
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 4
4
Анiзотропiя провiдностi двошарового графену при вiдносному змiщеннi його шарiв
за авторством
Litovchenko, V. G.
,
Kurchak, A. I.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 5
5
Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах...
за авторством
Lytovchenko, V. G.
,
Kurchak, A. I.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 6
6
Конкурентнi механiзми гiстерезису опору в графеновому каналi
за авторством
Kurchak, A. I.
,
Morozovska, A. N.
,
Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 7
7
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
за авторством
Strikha, M. V.
,
Kurchak, A. I.
,
Morozovska, A. N.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Інструменти для пошуку:
Отримати RSS-стрічку
–
Відправити пошук е-поштою
Пов'язані теми
conductance
domain structure
field effect transistor
graphene-on-ferroelectric
-
538.9
PVDF-TrFE ferroelectric film
adsorbates
anisotropy of conductivity
barrier tunneling
bilayer graphene
chemical vapor deposition
conductivity of graphene
differential conductance
graphene
mechanisms of hysteresis
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
minimum channel length
semiconductor monolayers of the MoS2 andWS2 types
surface dipoles
valley current
адсорбати
анiзотропiя провiдностi
графен
графен-на-сегнетоелектрику
двошаровий графен
долинний струм
доменна структура
ефект Ганна
мiнiмальна довжина каналу