Результати пошуку - Kurchak, A.I.
- Показ 1 - 7 результатів із 7
-
1
Вплив доменної структури сегнетоелектричної пiдкладки на провiднiсть графену за авторством Kurchak, A. I.
Опубліковано 2019Отримати повний текст
Стаття -
2
Провiднiсть графену на сегнетоелектрику PVDF-TrFE за авторством Kurchak, A. I., Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
3
Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу... за авторством Strikha, M.V., Kurchak, A.I.
Опубліковано 2021
Отримати повний текст
Стаття -
4
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд) за авторством Strikha, M. V., Kurchak, A. I., Morozovska, A. N.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
5
Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах... за авторством Lytovchenko, V. G., Kurchak, A. I., Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
6
Конкурентнi механiзми гiстерезису опору в графеновому каналi за авторством Kurchak, A. I., Morozovska, A. N., Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
7
Анiзотропiя провiдностi двошарового графену при вiдносному змiщеннi його шарiв за авторством Litovchenko, V. G., Kurchak, A. I., Strikha, M. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
conductance
domain structure
field effect transistor
graphene-on-ferroelectric
-
538.9
PVDF-TrFE ferroelectric film
adsorbates
anisotropy of conductivity
barrier tunneling
bilayer graphene
chemical vapor deposition
conductivity of graphene
differential conductance
graphene
mechanisms of hysteresis
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
minimum channel length
semiconductor monolayers of the MoS2 andWS2 types
surface dipoles
valley current
адсорбати
анiзотропiя провiдностi
графен
графен-на-сегнетоелектрику
двошаровий графен
долинний струм
доменна структура
ефект Ганна
мiнiмальна довжина каналу