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Engineering of software development processes quality by means of Petri Nets von Matveeva, L.E.

Veröffentlicht 2026

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Применение статистических моделей в инженерии качества процессов производства программных систем... von Matveeva, L.Е., Gorislavets, T.N.

Veröffentlicht 2015

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Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers von Holiney, R.Yu., Matveeva, L.A., Venger, E.F.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

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Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation von Matveeva, L.A., Vanger, E.F., Holiney, R.Yu.

Veröffentlicht in Вопросы атомной науки и техники (1999)

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Effects of interband phototunneling and filling the bands in electroreflectance spectra of germanium von Gentsar, P.A., Matveeva, L.A., Kudryavtsev, A.A., Venger, E.F.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

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Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C₆₀ fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it von Kolyadina, E.Yu., Matveeva, L.A., Neluba, P.L., Venger, E.F.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

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Quantum-size effects in semiconductor heterosystems von Matveeva, L.A., Venger, E.F., Kolyadina, E.Yu., Neluba, P.L.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)

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Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals von Karachevtseva, L., Kuchmii, S., Kolyadina, O., Lytvynenko, O., Matveeva, L., Sapelnikova, O., Smirnov, O., Stroyuk, O.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

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Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках von Venger, E. F., Lytvyn, P. M., Matveeva, L. A., Mitin, V. F., Kholevchuk, V. V.

Veröffentlicht 2014

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Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники von Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.

Veröffentlicht 2010

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The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment von Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

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Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments von Gorbach, T.Ya., Holiney, R.Yu., Matiyuk, I.M., Matveeva, L.A., Svechnikov, S.V., Venger, E.F.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)

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13

Potentiality of the composite fulleren based carbon films as the stripper foils for tandem accelerators von Vasin, A.V., Matveeva, L.A., Kozeratskaya, G.N., Rusavsky, A.V., Totsky, Yu.I., Vishnevsky, I.N.

Veröffentlicht in Вопросы атомной науки и техники (2001)

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14

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system von Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovskyi, D.I., Kamalov, A.B., Kolyadina, E.Yu., Lytvyn, P.M., Lytvyn, O.S., Matveeva, L.A., Prokopenko, I.V.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

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15

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon von Groza, A.A., Venger, E.F., Varnina, V.I., Holiney, R.Yu., Litovchenko, P.G., Matveeva, L.A., Litovchenko, A.P., Sugakov, V.I., Shmatko, G.G.

Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

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Suchergebnisse - Matveeva, L.

Engineering of software development processes quality by means of Petri Nets von Matveeva, L.E.

Применение статистических моделей в инженерии качества процессов производства программных систем... von Matveeva, L.Е., Gorislavets, T.N.

Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers von Holiney, R.Yu., Matveeva, L.A., Venger, E.F.

Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation von Matveeva, L.A., Vanger, E.F., Holiney, R.Yu.

Effects of interband phototunneling and filling the bands in electroreflectance spectra of germanium von Gentsar, P.A., Matveeva, L.A., Kudryavtsev, A.A., Venger, E.F.

Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C₆₀ fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it von Kolyadina, E.Yu., Matveeva, L.A., Neluba, P.L., Venger, E.F.

Quantum-size effects in semiconductor heterosystems von Matveeva, L.A., Venger, E.F., Kolyadina, E.Yu., Neluba, P.L.

Quantum-sized effects in oxidized silicon structures with surface II-VI nanocrystals von Karachevtseva, L., Kuchmii, S., Kolyadina, O., Lytvynenko, O., Matveeva, L., Sapelnikova, O., Smirnov, O., Stroyuk, O.

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках von Venger, E. F., Lytvyn, P. M., Matveeva, L. A., Mitin, V. F., Kholevchuk, V. V.

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники von Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.

The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment von Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.

Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments von Gorbach, T.Ya., Holiney, R.Yu., Matiyuk, I.M., Matveeva, L.A., Svechnikov, S.V., Venger, E.F.

Potentiality of the composite fulleren based carbon films as the stripper foils for tandem accelerators von Vasin, A.V., Matveeva, L.A., Kozeratskaya, G.N., Rusavsky, A.V., Totsky, Yu.I., Vishnevsky, I.N.

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system von Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovskyi, D.I., Kamalov, A.B., Kolyadina, E.Yu., Lytvyn, P.M., Lytvyn, O.S., Matveeva, L.A., Prokopenko, I.V.

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon von Groza, A.A., Venger, E.F., Varnina, V.I., Holiney, R.Yu., Litovchenko, P.G., Matveeva, L.A., Litovchenko, A.P., Sugakov, V.I., Shmatko, G.G.

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