Харвестер відкритої науки НАН України

Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe

за авторством Mazur, Yu. I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe

за авторством Mazur, Yu.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)

Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors

за авторством Bryksa, V.P., Tarasov, G.G., Masselink, W.T., Nolting, W., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

за авторством Bryksa, V.P., Tarasov, G.G., Masselink, W.T., Nolting, W., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures

за авторством Iliash, S.A., Kondratenko, S.V., Yakovliev, A.S., Kunets, Vas.P., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Quaternary semimagnetic Hg₁₋x₋yCdxMnySe crystals for optoelectronic application

за авторством Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G., Kuzmenko, E.V., Belyaev, A.E., Hoerstel, W., Kraak, W., Masselink, W.T.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками...

за авторством Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Mazur, Yu.I., Wang, Zh.M., Salamo, G.J.
Опубліковано 2022

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures

за авторством Zhuchenko, Z.Ya., Tarasov, G.G., Lavorik, S.R., Mazur, Yu.I., Valakh, M.Ya., Kissel, H., Masselink, W.T., Mueller, U., Walther, C.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures

за авторством Masselink, W.T., Kissel, H., Mueller, U., Walther, C., Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G., Lisitsa, M.P., Lavoric, S.R., Zhuchenko, Z.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures

за авторством Zhuchenko, Z.Ya., Tarasov, G.G., Lavorik, S.R., Mazur, Yu.I., Valakh, M.Ya., Kissel, H., Masselink, W.T. , Mueller, U., Walther, C.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects

за авторством Masselink, W.T., Kissel, H., Mueller, U., Walther, C., Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G ., Rudko, G.Yu., Valakh, M.Ya., Malyarchuk, V., Zhuchenko, Z.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts

за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kuchuk, A.V., Korostinskay, T.V., Pilipchuk, A.S., Sheremet, V.N., Mazur, Yu.I., Ware, M.E., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)