Результати пошуку - Nakhodkin, M.G.
- Показ 1 - 12 результатів із 12
-
1
Фотоелeктронна емiсiя катода Si–Gd–O за авторством Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття -
2
Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ за авторством Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
-
5
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001) за авторством Grynchuk, A. A., Koval, I. P., Nakhodkin, M. G.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
6
Рiст вiсмуту на Ge(111): еволюцiя морфологiї вiд нанокристалiв до плiвок за авторством Goriachko, A., Shchyrba, A., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
7
Вплив змiн дефектних станiв на властивостi фотокатода Si–Gd–O за авторством Mel’nyk, P. V., Nakhodkin, M. G., Fedorchenko, M. I.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
8
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї за авторством Goriachko, A., Kulyk, S. P., Melnik, P. V., Nakhodkin, M. G.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття -
9
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001) за авторством Greenchuk, A.A., Afanasieva, T.V., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.
Опубліковано 2012
Отримати повний текст
Стаття -
10
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) за авторством Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.
Опубліковано 2022
Отримати повний текст
Стаття -
11
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001) за авторством Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.
Опубліковано 2022
Отримати повний текст
Стаття -
12
Взаємодiя молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою моношарами хрому та титану за авторством Koval, I. P., Len, Yu. A., Nakhodkin, M. G., Svishevs’kyi, M. O., Yakovenko, M. Yu.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
-
oxidation
scanning tunneling microscopy
окислення
Gd
O
germanium
Gd2O3
adsorption
reconstruction
silicon
surface
work function
адсорбцiя
робота виходу
Si
Si(100)
Si(100)-2×1
Si(100)-2×1 surface
bismuth
chromium
dipole layer
electronic and emission properties
gadolinium
graphene
oxygen
stress
stress anisotropy
structural defects
thin film growth