Radiation-induced effects in silicon за авторством Gaidar, G.P., Pinkovska, M.B., Starchyk, M.I.

Отримати повний текст

Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions за авторством Starchyk, M.I., Marchenko, L.S., Pinkovska, M.B., Shmatko, G.G., Varnina, V.I.

Отримати повний текст

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide за авторством Kudin, A.P., Kuts, V.I., Litovchenko, P.G., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

Отримати повний текст

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes за авторством Gontaruk, O.M., Khivrych, V.I., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Olikh, Ya.M., Vernydub, R.M., Opilat, V.Ya.

Отримати повний текст

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Shlapatska, V.V.

Отримати повний текст

Acoustic-stimulated relaxation of GaAs₁₋хPх LEDs electroluminescence intensity за авторством Konoreva, O.V., Lytovchenko, M.V., Malyi, Ye.V., Olikh, Ya.M., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P.

Отримати повний текст

Low doses effect in GaP light-emitting diodes за авторством Hontaruk, O.M., Konoreva, O.V., Malyi, Ye.V., Petrenko, I.V., Pinkovska, M.B., Radkevych, O.I., Tartachnyk, V.P.

Отримати повний текст

Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons за авторством Litovchenko, P.G., Moss, R., Stecher-Rasmussen, F., Appelman, K., Barabash, L.I., Kibkalo, T.I., Lastovetsky, V.F., Litovchenko, A.P., Pinkovska, M.B.

Отримати повний текст