Харвестер відкритої науки НАН України

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells

за авторством Gudenko1, Yu.M., Vainberg, V.V., Poroshin, V.M., Tulupenko, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Мiкроструктура тонких композитних плiвок Si–Sn

за авторством Neimash, V. B., Poroshin, V. M., Kabaldin, A. M., Yukhymchuk, V. O., Shepelyavyi, P. E., Makara, V. A., Larkin, S. Yu.
Опубліковано 2018

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum

за авторством Neimash, V.B., Poroshin, V.M., Shepeliavyi, P.Ye., Yukhymchuk, V.O., Melnyk, V.V., Makara, M.A., Kuzmich, A.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Вивчення впливу вуглецевих нанотрубок на електричну провідність тернарного нанокомпозита ПВДФ/ПАНІ/ МСВНТ при низьких температурах...

за авторством Rudenko, R.M., Voitsihovska, O.O., Poroshin, V.M., Petrychuk, M.V., Ogurtsov, N.A., Noskov, Yu.V., Pud, A.A.
Опубліковано 2022