Результати пошуку - Privalov, E. N.
- Показ 1 - 7 результатів із 7
-
1
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
2
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
3
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Опубліковано 2008Отримати повний текст
Стаття -
4
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs... за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
5
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs за авторством Gorev, N. B., Kodzhespirova, I. F., Privalov, E. N.
Опубліковано 2006Отримати повний текст
Стаття -
6
Resonance Properties of Axially Symmetrical Microwave Resonators with Conical Elements за авторством Drobakhin, O. O., Zabolotny, P. I., Privalov, E. N.
Опубліковано 2012Отримати повний текст
Стаття -
7
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
gallium arsenide
Schottky barrier
арсенид галлия
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
deep centers
epitaxial structure
field-effect transistor
глубокие центры
напряжение отсечки
полевой транзистор
эпитаксиальная структура
Schottky barriers
capacitance-voltage characteristic
capacitance–voltage characteristic
capacity-voltage characteristic
current-voltage characteristics
cutoff voltage
deep trapping centers
deep traps
ion-implanted structure
parameter spread
saturation current
threshold voltage
transconductance
арсенид галлия
барьер Шоттки
вольт-фарадная характеристика
глубокие центры захвата
глубокие центры захвата