Харвестер відкритої науки НАН України

Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors

за авторством Bryksa, V.P., Tarasov, G.G., Masselink, W.T., Nolting, W., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

за авторством Bryksa, V.P., Tarasov, G.G., Masselink, W.T., Nolting, W., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures

за авторством Iliash, S.A., Kondratenko, S.V., Yakovliev, A.S., Kunets, Vas.P., Mazur, Yu.I., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками...

за авторством Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Mazur, Yu.I., Wang, Zh.M., Salamo, G.J.
Опубліковано 2022

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts

за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kuchuk, A.V., Korostinskay, T.V., Pilipchuk, A.S., Sheremet, V.N., Mazur, Yu.I., Ware, M.E., Salamo, G.J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)