Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers

за авторством Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Indutnyi, V.I.
Опубліковано 1999

Fabrication of silicon grating structures using interference lithography and chalcogenide inorganic photoresist

за авторством Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Indutnyy, I.Z., Litvin, O.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures

за авторством Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано 2009

Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix

за авторством Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано 2015

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

за авторством Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Опубліковано 2011

The use of chalcogenide glassy semiconductors to create micro- and nanoscale structures

за авторством Petrov, V. V., Kryuchуn, A. A., Rubish, V. M., Kostyukevуch, S. A., Shepeliavyi, P. E.
Опубліковано 2020

Photostimulated etching of germanium chalcogenide films

за авторством Dan’ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukyanyuk, M.V., Litvin, O.S.
Опубліковано 2012

Optical recording of information pits in thin layers of chalcogenide semiconductors

за авторством Morozovska, A.N., Kostyukevych, S.A., Nikitenko, L.L., Kryuchin, A.A., Kudryavtsev, A.A., Shepeliavyi, P.E., Moskalenko, N.L.
Опубліковано 2004

Вплив обробки у парах HF на структуру та люмінесцентні властивості поруватих Si/SiОx нанокомпозитів

за авторством Dan’ko, V.A., Zlobin, S.O., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litovchenko, L.G., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано 2025

Наноструктурованi Au чiпи з пiдвищеною чутливiстю для сенсорiв на основi поверхневого плазмонного резонансу...

за авторством Indutnyi, I. Z., Ushenin, Yu. V., Myn’ko, V. I., Shepeliavyi, P. E., Lukaniuk, M. V., Korchovyi, A. A., Khrystosenko, R. V.
Опубліковано 2018

Механiзм iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю

за авторством Neimash, V. B., Goushcha, A. O., Shepeliavyi, P. E., Yukhymchuk, V. O., Dan’ko, V. A., Melnyk, V. V., Kuzmich, A. G.
Опубліковано 2018

Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films

за авторством Indutnyy, I.Z., Lysenko, V.S., Min'ko, V.I., Nazarov, A.N., Tkachenko, A.S., Shepeliavyi, P.E., Dan'ko, V.A., Maidanchuk, I.Yu.
Опубліковано 2006

Effect of low-temperature annealing on light-emitting properties of na-Si/SiOx porous nanocomposite films

за авторством Lisovskyy, I.P., Litovchenko, V.G., Zlobin, S.O., Voitovych, M.V., Khatsevich, I.M., Indutnyy, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Kolomys, O.F.
Опубліковано 2011

Electron field emission from SiOx films

за авторством Evtukh, А.А., Indutnyy, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litvin, Yu.M., Litovchenko, V.G., Lytvyn, P.M., Mazunov, D.O., Rassamakin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Nanopatterning Au chips for SPR refractometer by using interference lithography and chalcogenide photoresist

за авторством Dan’ko, V.A., Dorozinsky, G.V., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Ushenin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Korchovyi, A.A., Khrystosenko, R.V.
Опубліковано 2015

Recording the high efficient diffraction gratings by using He-Cd laser

за авторством Kostyukevych, S.A., Morozovska, A.N., Minko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Kudryavtsev, A.A., Rubish, V.M., Rubish, V.V., Tverdokhleb, I.V., Kostiukevych, A.S., Dyrda, S.V.
Опубліковано 2004