Харвестер відкритої науки НАН України

Development of modeling methods and algorithm for calculating the current-voltage characteristics of LED modules

за авторством Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Development of modeling methods and algorithm for calculating the current-voltage characteristics of LED modules

за авторством Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Effect of neutron irradiation on non-equilibrium HfB₂-B₄C composites

за авторством Totsky, I.M., Shynkarenko, V.V., Popov, O.Yu., Makara, V.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics

за авторством Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Slipokurov, V.S., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Hybrid-integrated version of SBD amplitude detector intended for the 400–600 GHz frequency range

за авторством Zorenko, A.V., Bychok, A.V., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники

за авторством Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.
Опубліковано 2010

Degradation processes in LED modules

за авторством Sorokin, V.M., Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Kudryk, R.Ya., Sai, P.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Hybrid-integrated version of solid-state components for terahertz frequency region

за авторством Zorenko, O.V., Bychok, A.V., Kryts’ka, T.V., Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment

за авторством Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density

за авторством Sai, P.O., Safriuk, N.V., Shynkarenko, V.V., Brunkov, P.N., Jmerik, V.N., Ivanov, S.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2018)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості...

за авторством Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.
Опубліковано 2017

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs

за авторством Sorokin, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Zinovchuk, A.V., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Особливості формування омічних контактів до n+-InN

за авторством Sai, P. O., Safryuk-Romanenko, N. V., But, D. B., Cywiński, G., Boltovets, N. S., Brunkov, P. N., Jmeric, N. V., Ivanov, S. V., Shynkarenko, V. V.
Опубліковано 2019

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity

за авторством Boltovets, M.S., Ivanov, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Shynkarenko, V.V., Sheremet, V.M., Sveshnikov, Yu.N., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes

за авторством Romanets, P.M., Belyaev, A.E., Sachenko, А.V., Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Konakova, R.V., Slipokurov, V.S., Khodin, А.А., Pilipenko, V.А., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Bobyl, A.V., Zorenko, A.V., Arsentiev, I.N., Kladko, V.P., Kovtonyuk, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)