Результати пошуку - Shynkarenko, V.V.
- Показ 1 - 14 результатів із 14
-
1
-
2
-
3
Effect of neutron irradiation on non-equilibrium HfB₂-B₄C composites за авторством Totsky, I.M., Shynkarenko, V.V., Popov, O.Yu., Makara, V.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)Отримати повний текст
Стаття -
4
Degradation processes in LED modules за авторством Sorokin, V.M., Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Kudryk, R.Ya., Sai, P.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
5
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники за авторством Konakova, R. V., Kolyadina, Е. Yu., Matveeva, L. А., Nelyuba, P. L., Shynkarenko, V. V.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
6
The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment за авторством Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)Отримати повний текст
Стаття -
7
Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
8
Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs за авторством Sorokin, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Zinovchuk, A.V., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
9
Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості... за авторством Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття -
10
Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity за авторством Boltovets, M.S., Ivanov, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Shynkarenko, V.V., Sheremet, V.M., Sveshnikov, Yu.N., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
11
Method for data processing in application to ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kovtonjuk, V.M., Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Dub, M.M., Saj, P.O., Novitskii, S.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Отримати повний текст
Стаття -
12
Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes за авторством Romanets, P.M., Belyaev, A.E., Sachenko, А.V., Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Konakova, R.V., Slipokurov, V.S., Khodin, А.А., Pilipenko, V.А., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
13
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
14
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Bobyl, A.V., Zorenko, A.V., Arsentiev, I.N., Kladko, V.P., Kovtonyuk, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття