Результати пошуку - Slipokurov, V.
- Показ 1 - 12 результатів із 12
-
1
Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes за авторством Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2019Отримати повний текст
Стаття -
2
Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах за авторством Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2025
Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
-
5
Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів за авторством Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2023
Отримати повний текст
Стаття -
6
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм за авторством Tetyorkin, V., Tsybrii, Z., Slipokurov, V., Yevmenova, A., Andrieieva, K., Kosulya, O.
Опубліковано 2025
Отримати повний текст
Стаття -
7
Hybrid-integrated version of SBD amplitude detector intended for the 400–600 GHz frequency range за авторством Zorenko, A.V., Bychok, A.V., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
8
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics за авторством Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Slipokurov, V.S., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
9
Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes за авторством Romanets, P.M., Konakova, R.V., Boltovets, M.S., Basanets, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Отримати повний текст
Стаття -
10
Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes за авторством Romanets, P.M., Belyaev, A.E., Sachenko, А.V., Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Konakova, R.V., Slipokurov, V.S., Khodin, А.А., Pilipenko, V.А., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
11
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
12
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Bobyl, A.V., Zorenko, A.V., Arsentiev, I.N., Kladko, V.P., Kovtonyuk, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
InGaN quantum wells
InGaN квантовi ями
Semiconductor physics
Auger recombination
HgCdTe
IR photodiodes
InSb
IЧ фотодiоди
atomic disorder
charge carrier transport mechanisms
dark current simulation
piezoelectric polarization
polarization
атомна невпорядкованiсть
механiзми транспорту носiїв заряду
моделювання темнового струму
оже-рекомбiнацiя
поляризацiя
п’єзоелектрична поляризацiя