Харвестер відкритої науки НАН України

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах

von Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.
Veröffentlicht 2025

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors

von Slipokurov, V.S., Dub, M.M., Tkachenko, A.K., Kudryk, Ya.Ya.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors

von Slipokurov, V.S., Dub, M.M., Tkachenko, A.K., Kudryk, Ya.Ya.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів

von Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.
Veröffentlicht 2023

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм

von Tetyorkin, V., Tsybrii, Z., Slipokurov, V., Yevmenova, A., Andrieieva, K., Kosulya, O.
Veröffentlicht 2025

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics

von Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Slipokurov, V.S., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Hybrid-integrated version of SBD amplitude detector intended for the 400–600 GHz frequency range

von Zorenko, A.V., Bychok, A.V., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya., Slipokurov, V.S.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes

von Romanets, P.M., Belyaev, A.E., Sachenko, А.V., Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Konakova, R.V., Slipokurov, V.S., Khodin, А.А., Pilipenko, V.А., Shynkarenko, V.V., Kudryk, Ya.Ya.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.A., Bobyl, A.B., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Nasyrov, M.U., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes

von Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Bobyl, A.V., Zorenko, A.V., Arsentiev, I.N., Kladko, V.P., Kovtonyuk, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Slipokurov, V.S., Slepova, A.S., Safryuk, N.V., Gudymenko, A.I., Shynkarenko, V.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)