An intrinsic physical content of “single photon power” − (hν∙Δν) за авторством Salkov, E.A., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

On thermal emission of small-sized radiator за авторством Salkov, E.A., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Some properties of extremely restricted thermal radiation beams за авторством Salkov, E.A., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

New method for estimating the refractive index of optical materials in spectrally selective elements за авторством Manko, A.A., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

A priori probabilistic model for the reliability of an "organised structure" за авторством Sal'kov, E.A., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps за авторством Vlaskin, V., Vlaskina, S., Berezhinsky, L., Svechnikov, G.

Отримати повний текст

Локальний електромеханічний відгук тонких плівок напівпровідників-іоніків за авторством Morozovska, A.N., Svechnikov, G.S., Derkach, K.V.

Отримати повний текст

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Domain structure formation by using Scanning Probe Microscopy: equilibrium polarization distribution and effective piezoelectric response calculations за авторством Morozovska, A.N., Svechnikov, G.S., Shishkin, E.I., Shur, V.Y.

Отримати повний текст

Polar properties and local piezoelectric response of ferroelectric nanotubes за авторством Morozovska, A.N., Svechnikov, G.S., Shiskin, E.I., Shur, V.Y.

Отримати повний текст

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Characterization of nano-bio silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Shaginyan, I.L., Smertenko, P.S., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Flexible electroluminescent panels за авторством Vlaskin, V.I., Vlaskina, S.I., Koval, O.Yu., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Podlasov, S.A., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, L.V., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals за авторством Machulin, V.F., Motsnyi, F.V., Peresh, E.Yu., Smolanka, O.M., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.

Отримати повний текст