Харвестер відкритої науки НАН України

Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ-Si

за авторством Talanin, V.I., Talanin, I.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals

за авторством Talanin, V.I., Talanin, I.E.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Classification of microdefects in semiconducting silicon

за авторством Talanin, V.I., Talanin, I.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals

за авторством Talanin, V.I., Talanin, I.E., Koryagin, S.A., Semikina, M.Yu.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals

за авторством Talanin, V.I., Talanin, I.E., Voronin, A.A., Sirota, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2007)