Харвестер відкритої науки НАН України

Hemispherical and aspheric wgm dielectric resonators with conducting endplates: radiation and conductivity losses depending on shape of the resonators surface

за авторством Barannik, A.A., Cherpak, N.T., Kharchenko, M.S., Vitusevich, S.A.
Опубліковано в: Радіофізика та електроніка (2013)

Mechanical properties of biomorphous ceramics

за авторством Kiselov, V.S., Borisov, Yu.S., Tryus, M., Vitusevich, S.A, Pud, S., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Microwave properties of HTS films: measurements in millimeter wave range

за авторством Cherpak, N.T., Barannik, A.A., Prokopenko, Yu.V., Filipov, Yu.F., Vitusevich, S.A.
Опубліковано в: Физика низких температур (2006)

Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction

за авторством Vitusevich, S. A., Forster, A., Belyaev, A. E., Glavin, B. A., Indlekofer, K. M., Luth, H., Konakova, R. V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes

за авторством Belyaev, A.A., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Vitusevich, S.A., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Kravchenko, L.N., Figielski, T., Wosinski, T., Makosa, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Millimeter-wave study of London penetration depth temperature dependence in Ba(Fe₀.₉₂₆Co₀.₀₇₄)₂As₂ single crystal

за авторством Barannik, A.A., Cherpak, N.T., Ni, N., Tanatar, M.A., Vitusevich, S.A., Skresanov, V.N., Canfield, P.C., Prozorov, R., Glamazdin, V.V., Torokhtii, K.I.
Опубліковано в: Физика низких температур (2011)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions

за авторством Belyaev, A.E., Foxon, C.T., Novikov, S.V., Makarovsky, O., Eaves, L., Kappers, M.J., Barnard, J.S., Humphreys, C.J., Danylyuk, S.V., Vitusevich, S.A., Naumov, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures

за авторством Vitusevich, S.A., Danylyuk, S.V., Danilchenko, B.A., Klein, N., Zelenskyi, S.E., Drok, E., Avksentyev, A.Yu., Sokolov, V.N., Kochelap, V.A., Belyaev, A.E., Petrychuk, M.V., Luth, H.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)