Результати пошуку - Vlaskina, S.
- Показ 1 - 20 результатів із 28
- На наступну сторінку
-
1
Silicon carbide LED за авторством Vlaskina, S.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
2
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC за авторством Vlaskina, S.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
3
Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps за авторством Vlaskin, V., Vlaskina, S., Berezhinsky, L., Svechnikov, G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
4
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2014Отримати повний текст
Стаття -
5
-
6
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
7
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2017Отримати повний текст
Стаття -
8
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2016Отримати повний текст
Стаття -
9
-
10
-
11
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2015Отримати повний текст
Стаття -
12
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, L. V. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2014Отримати повний текст
Стаття -
13
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2013Отримати повний текст
Стаття -
14
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC за авторством S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov
Опубліковано 2011Отримати повний текст
Стаття -
15
-
16
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
17
Flexible electroluminescent panels за авторством Vlaskin, V.I., Vlaskina, S.I., Koval, O.Yu., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
18
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Podlasov, S.A., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
19
-
20
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття