Результати пошуку - Vlaskina, S.I.
- Показ 1 - 19 результатів із 19
-
1
Silicon carbide LED за авторством Vlaskina, S.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
2
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC за авторством Vlaskina, S.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
5
Characterization of nano-bio silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Shaginyan, I.L., Smertenko, P.S., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2020)Отримати повний текст
Стаття -
6
-
7
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
8
Flexible electroluminescent panels за авторством Vlaskin, V.I., Vlaskina, S.I., Koval, O.Yu., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
9
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide за авторством Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Podlasov, S.A., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
10
-
11
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
12
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
13
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
14
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
15
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence за авторством Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
16
-
17
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films за авторством Oleksenko, P.Ph., Sukach, G.A., Smertenko, P.S., Vlaskina, S.I., Bogoslovskaya, A.B., Spichak, I.O., Shin, D.H.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)Отримати повний текст
Стаття -
18
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC за авторством Lee, S.W., Vlaskina, S.I., Vlaskin, V.I., Zaharchenko, I.V., Gubanov, V.A., Mishinova, G.N., Svechnikov, G.S., Rodionov, V.E., Podlasov, S.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
19
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття