Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p–n перехо...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116700 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С.І. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 74-80. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |