Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів

• Дата: 2011
• Автори: Круковський, С.І., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мрихін, І.О., Михащук, Ю.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116700
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С.І. Круковський, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 74-80. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p–n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77–378 К і виявлено, що за температур 77–250 К реалізуються тунельні струми за прямих та зворотних напруг зміщення. За температур Т > 290 К переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих у процесі вирощування гетеропереходів.