Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si

Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’яс...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Іващенко, В.І., Порада, О.К., Козак, А.О., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116732
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116732
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167322017-05-15T03:02:30Z Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Іващенко, В.І. Порада, О.К. Козак, А.О. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розпод ілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів поясню ється локалізацією активної області виключно в p-Si. The dominant mechanisms of charge transport are established in heterojunctions a-SiCN/c-Si in the temperature range 196-353 K which were produced by plasma chemical method deposition of amorphous layers of SiCN on p-type single crystal Si substrates with a hole type conductivity at relatively low (T < 300 °C) temperature. The role of the heterointerface in the mechanisms of charge transport and photosensitivity of heterojunctions is investigated. The basic electrical parameters of a-SiCN layers are estimated. It is shown that the direct current-voltage characteristics are explained by unipolar injection of electrons for a uniform distribution of traps in the gap. The reverse characteristics are determined by contribution of thermal generation and tunnel-recombination current. Photosensitive region of the heterojunctions is shown to be exclusively localized in p-Si. 2013 Article Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116732 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розпод ілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів поясню ється локалізацією активної області виключно в p-Si.
format Article
author Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Козак, А.О.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
spellingShingle Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Козак, А.О.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Козак, А.О.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
author_sort Сукач, А.В.
title Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_short Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_full Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_fullStr Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_full_unstemmed Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_sort електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-sicn/c-si
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2013
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116732
citation_txt Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT sukačav električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT tetʹorkínvv električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT ívaŝenkoví električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT poradaok električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT kozakao električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT tkačukaí električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT voroŝenkoat električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
first_indexed 2023-10-18T20:28:15Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:15Z
_version_ 1796150280749842432

Схожі ресурси