Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals

It has been shown that a result of InSe crystal oxidation is formation of an intrinsic oxide film that has not insulating but conductive properties. This conductive film forms a potential barrier with the semiconductor substrate. Sheet resistance measurements of the InSe oxide film in dependence...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117651
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals / V.M. Katerynchuk, Z.D. Kovalyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 106-108. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine