Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
To explain the experimental behaviour of differential characteristics (ideality factor, differential resistance) before and after radiation influence, a theoretical model of injection current flow mechanisms for the silicon diode temperature sensors (DTSs) is proposed. The observed nonmonotonic depe...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118002 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors / Yu.M. Shwarts, V.N. Sokolov, M.M. Shwarts, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 2. — С. 233-237. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |