Role of silicon oxide defects in emission process of Si-SiO₂ systems
Si-rich SiO₂ films prepared by r.f. magnetron sputtering and annealed at 1150 °C are investigated by photoluminescence, Raman and EPR methods. It is found that emission spectrum of as-prepared samples contains one broad infrared band. It is shown that one-year aging in ambient air and low-temperatur...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118036 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Role of silicon oxide defects in emission process of Si-SiO₂ systems / M. Baran, B. Bulakh, N. Korsunska, L. Khomenkova, V. Yukhymchuk, M. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 282-286. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |