An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances
In resent years a considerable effort (experience, numerical simulation and theoretical prediction models) has been devoted to the study of photovoltaic devices characterised by high efficiency and low cost. The present study comes in way to contribute in the optimisation of the performance of Si an...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118145 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances / N. Merabtine, S. Amourache, M. Bouaouina, M. Zaabat, Y. Saidi, C. Kenzai // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |